Pattern
L/S CD 40nm (on Metal)
300mm 실리콘 웨이퍼에 CD 40nm의 L/S 패턴을 형성하는 평가 웨이퍼 제작 서비스입니다.제작 사양
- 웨이퍼 규격
- 300mm
- 기판
- Si wafer
- 패턴 규격
- L/S, CD 40 nm
- 공정 적층
- Sub_Si / LPTEOS 500 Å / ALD TiN <300 Å / CVD W 50~3,000 Å / HM Nit(PENIT) 3,000 Å / ACL(550°C) / SiON 400 Å / PR
공정 및 장비
| 단계 | 공정 | 진행 장비 |
|---|---|---|
| 01 | Wafer Sorter | S300-4F |
| 02 | FN Cleaning | NSM312 |
| 03 | LPTEOS Dep. | FOMULA |
| 04 | LPTEOS Dep. SCR | NSM312 |
| 05 | ALD TiN Dep. | Triase+EX-II TiN Plus |
| 06 | CVD W Dep. | ALTUS |
| 07 | W Dep. SCR | NSM312 |
| 08 | HM Nit Dep. | VECTOR_EXTREME |
| 09 | HM Nit Dep. SCR | NSM312 |
| 10 | ACL Dep. | CHALLENGER |
| 11 | SiON Dep. | VECTOR_EXTREME |
| 12 | SiON Dep. SCR | NSM312 |
| 13 | PR Coating | LITHIUS PRO Z Imm |
| 14 | Exposure | XT1950 |
| 15 | Develop | LITHIUS PRO Z Imm |
| 16 | ADI CD Measure | GT2000S |
| 17 | Ox Etch | Ox Etch VIGUS RK5 |
| 18 | PR Strip | KIYO EXP |
| 19 | Ox Etch CLN | NSM312 |
| 20 | AEI CD Measure | GT2000S |
| 21 | Defect Inspection | PUMA9550 |