Pattern
L/S CD 20nm (on Si Sub)
300mm 실리콘 웨이퍼에 CD 20 nm의 L/S 패턴을 제작하는 서비스입니다.제작 사양
- 웨이퍼 규격
- 300mm
- 기판
- Sub_Si
- 패턴 규격
- L/S, CD 20 nm
- 식각 깊이
- 1,000~3,000 Å
- 공정 적층
- Sub_Si / LPTEOS 1,500 Å / ACL / SiON / PR
공정 및 장비
| 단계 | 공정 | 진행 장비 |
|---|---|---|
| 01 | - | - |