Pattern
L/S CD 40 nm (on Si Sub)
300mm 실리콘 웨이퍼에 CD 40 nm의 L/S 패턴을 제작하는 서비스입니다.제작 사양
- 웨이퍼 규격
- 300mm
- 기판
- Sub_Si
- 패턴 규격
- L/S, CD 40 nm
- Si 식각 깊이
- 1,000~3,000 Å
- 공정 적층
- Sub_Si / LPTEOS 1,500 Å / ACL / SiON / PR
공정 및 장비
| 단계 | 공정 | 진행 장비 |
|---|---|---|
| 01 | Laser marking | Laser Maker(구입검토 중) |
| 02 | FN Cleaning | NSM312 |
| 03 | LPTEOS Dep. | FORMULA |
| 04 | LPTEOS Dep. SCR | NSM312 |
| 05 | ACL Dep. | CHALLENGER |
| 06 | SiON Dep | GEMINI HQ |
| 07 | SiON Dep SCR. | NSM312 |
| 08 | PR Coating | LITHIUS PRO Z Imm |
| 09 | Exposure | XT1950 |
| 10 | Develop | LITHIUS PRO Z Imm |
| 11 | ADI CD Measure | GT2000S |
| 12 | Si Etch | KIYO_EXP |
| 13 | PR Strip | KIYO_EXP |
| 14 | Ox Etch CLN | NSM312 |
| 15 | ACI CD Measure | GT2000S |
| 16 | Defect Inspection | KLA2900 |